産業技術総合研究所(産総研)らによる研究グループは、Siに比べ高い移動度を有するIII-V族化合物半導体とGe をチャネルに採用した次世代高性能III-V/Ge CMOSトランジスタを開発したことを発表した。従来のSiトランジスタでは性能向上に限界があり、200%以上の ...

～従来比約2倍（※2）の飽和信号量（※3）によるダイナミックレンジ拡大とノイズ低減を実現～ ここに掲載されている情報は、発表日現在の情報です。 検索日と情報が異なる可能性がございますので、あらかじめご了承ください。 ※1: 2021年12月16日広報 ...

次世代CMOSロジックは立体化と極薄チャンネル化で1nm時代へ 本コラムの前回でお伝えしたように、半導体のデバイス技術とプロセス技術に関する世界最大の国際学会「IEDM(International Electron Devices Meeting)(通常の呼称は「アイイーディーエム」、日本語の通称は ...

NECエレクトロニクスは、65nmのテクノロジーノードを用いたCMOSトランジスタを開発した。同社が12月12日に明らかにしたもの。同トランジスタのゲート長は43nm。同社では「システムLSIで重要度が増す、高速動作と低消費電力の両立が可能になる」としている。

ソニーセミコンダクタソリューションズは12月16日、2層トランジスタ画素積層型CMOSイメージセンサ技術の開発に成功し、同成果の詳細を半導体のデバイス技術とプロセス技術に関する世界最大級の国際学会「IEDM(International Electron Devices Meeting)」にて発表した ...

開発したCMOSトランジスターのイメージ（図:Purdue University） 米Purdue Universityは、同大学の研究者がチャネルにゲルマニウム（Ge）を用いたCMOS（complementary metal-oxide-semiconductor）トランジスタを作製することに成功したと発表した。 Geトランジスタは、1947年に ...

投稿件数は2年連続で過去最多を更新 半導体のデバイス技術とプロセス技術に関する世界最大の国際学会「IEDM(International Electron Devices Meeting、日本語の通称は「国際電子デバイス会議」)」が、米国カリフォルニア州サンフランシスコで始まった。技術講演会 ...

ソニーセミコンダクタソリューションズは、2層トランジスタ画素積層型CMOSイメージセンサー技術の開発に成功した。スマートフォンのカメラなどでの高画質化に寄与する技術という。 世界初とされる同技術は、ダイナミックレンジ拡大とノイズ低減に寄与 ...

－大規模集積回路の大幅な低消費電力化に期待－ 独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 中鉢 良治】（以下「産総研」という）ナノエレクトロニクス研究部門【研究部門長 安田 哲二】新材料・機能インテグレーショングループ 前田 辰郎 主任研究員ら ...

チップ上のトランジスタ数は限界に達しつつあります（出典：Intel） 1965年4月、米Electronics Magazine誌に掲載された1つの論文は、当時めざましい発展を遂げてつつあったシリコン半導体を用いるトランジスタの集積について、非常に興味深い内容となっていました ...

・「デジカメならでは」の活用法を分かりやすく提案 - ITmedia デジカメプラス キヤノンは、35mmフルサイズ4.1億画素のCMOSセンサーを開発した。超多画素でありながら撮影装置の小型化に寄与し、1秒間に32億8000万画素の超高速な信号読み出しができる。

ソニーが今秋に投入したコンパクトデジタルカメラ「サイバーショットDSC-WX1」および「サイバーショットDSC-TX1」は、スチルカメラ初の裏面照射型CMOSセンサーを搭載したモデルとして話題になっている。開発に携わった半導体事業本部イメージセンサ事業部 ...